簡要描述：P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2其中K為霍爾系數(shù)，I為薄片中通過的電流，B為外加磁場（洛倫慈力Lorrentz）的磁感應強度，d是薄片的厚度。
產(chǎn)品型號：NBB1.5-8GM50-E2廠商性質(zhì)：經(jīng)銷商更新時間：2026-07-09訪 問 量：2214P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
產(chǎn)品概述：
當一塊通有電流的金屬或半導體薄片垂直地放在磁場中時，
薄片的兩端就會產(chǎn)生電位差，這種現(xiàn)象就稱為霍爾效應。
兩端具有的電位差值稱為霍爾電勢U，其表達式為
U=K·I·B/d
由此可見，霍爾效應的靈敏度低與外加磁場的磁感應強度成正比的關系。
霍爾開關就屬于這種有源磁電轉(zhuǎn)換器件，
它是在霍爾效應原理的基礎上，
利用集成封裝和組裝工藝制作而成，
它可方便的把磁輸入信號轉(zhuǎn)換成實際應用中的電信號，
同時又具備工業(yè)場合實際應用易操作和可靠性的要求。
工作原理：
電感式接近開關由三大部分組成：
振蕩器、開關電路及放大輸出電路。
振蕩器產(chǎn)生一個交變磁場。
當金屬目標接近這一磁場，
并達到感應距離時，
在金屬目標內(nèi)產(chǎn)生渦流，
從而導致振蕩衰減，以至停振。
振蕩器振蕩及停振的變化被后級放大電路處理并轉(zhuǎn)換成開關信號，
觸發(fā)驅(qū)動控制器件，從而達到非接觸式之檢測目的
熱門型號：
NBN4-12GM50-E2
NBN4-12GM50-E0
NBN4-12GM40-Z0
NJ4-12GM40-E2
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P+F電感式接近開關分類齊全NBB1.5-8GM50-E2
